细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
aln烧结设备
火热的氮化铝（AlN ）陶瓷基板制备工艺简介 艾邦半导体网
2022年6月17日 通过以下三种途径可以获得致密的高性能氮化铝陶瓷：（1）使用超细粉；（2）热压或等静压；（3）引入烧结助剂。 AlN基片较常用的烧结工艺一般有5种，即热压烧结、无压烧结、微波烧结、放电等离子烧结和自蔓延烧结。设备 (410) 陶瓷 (238) 陶瓷基板 (404) You missed IGBT SiC 瞻芯电子量产了2款极 行业动态
氮化铝（AlN）陶瓷常见的坯体成型与烧结方法概述
2017年8月28日 氮化铝作为共价键化合物，难以进行固相烧结。通常采用液相烧结机制，即向氮化铝原料粉末中加入能够生成液相的烧结助剂，并通过溶解产生液相，促进烧结 2024年4月12日 基于此，开发了高温烧结设备，进行氮化铝陶瓷高温烧结工艺试验，分析了烧结温度及时间、升降温速率、气体流量及炉体压强等因素对高温烧结产品性能的影响。HTCCAlN陶瓷基板高温烧结设备与烧结工艺曲线聚展
无压烧结氮化铝陶瓷 英诺华
氮化铝 (AlN) 陶瓷的无压烧结是制造致密、高性能 AlN 部件的常用方法。 无压烧结是一种不需要外部压力即可实现致密化的过程。 以下是氮化铝陶瓷无压烧结工艺的概述： 1粉末 2021年4月20日 AlN陶瓷因其高热导率、高强度、线膨胀系数与硅接近、介电常数小、耐高温和耐腐蚀性能优异而被用作芯片基板和封装材料。 主要从烧结技术和烧结助剂对AlN陶瓷性能影响方面综述了AlN陶瓷的研究进展,并指出了AlN陶瓷在制备及应用过程中存在的问题,展望了AlN陶瓷的发展趋势。AlN陶瓷烧结技术及性能优化研究进展
PVD AlN 溅射系统 产品管理 北方华创
2024年6月12日 iTops PVD AlN 溅射系统主要用于2、4、6英寸AlN沉积工艺。该机台为单工艺腔室设备，配备传输腔室和冷却腔室。AlN设备具有占地面积小、结构简单、操作灵活、维修方便、耗材便宜等优势；具备与国际竞争对手同等的工艺能力。产品简介： AlN烧结设备 发布时间： 更新 有效时间： 长期有效 在线咨询： 点此询价(厂家7/24在线) 氮化铝陶瓷的烧结简介及调控 2016年3月29日氮化铝陶瓷的烧结简介及调控摘要:AlN 陶瓷以其高的热导率、低的介电常数、与7 1 氮化铝陶瓷简介 AlN烧结设备厂家/价格采石场设备网
SiCAlN复相陶瓷材料的无压烧结和导热性能 真空技术网
2014年11月8日 继续增加AlN的含量则引起复相陶瓷密度的下降。微结构观察发现随着AlN 含量的上升，气孔率有明显增加，烧结性能下降。 (2)SiCAlN复相材料的热导率随着AlN含量的增加而下降，这和固溶体的形成有关。XRD测试也说明了2H 固溶体的形成随着AlN 含量的2023年4月3日 2015年，三菱电机采用银烧结技术制作出功率模块，循环寿命是软钎焊料（SnAgCuSb）的5倍左右，并且三菱电机自主开发了加压烧结的专用设备。 如今，银烧结技术已经成为宽禁带半导体功率模块必不可少的技术之一，随着宽禁带半导体材料（SiC、GaN）的发展，银烧结技术将拥有良好的应用前景。为什么银烧结技术这么火，看这一篇文章就够了！ 百家号
氮化铝陶瓷的制备及研究进展 hanspub
2021年7月28日 氮化铝(AlN)陶瓷具有优良的热导率、电绝缘性能和介电性能，最重要的是其与硅的热膨胀系数相近，是 较为理想的可用于基板和电子器件封装的半导体材料。本文综述了氮化铝的性能、陶瓷成型、烧结等技 术的研究进展，并对氮化铝陶瓷的发展方向进行了探 氮化铝 (AlN) 陶瓷的无压烧结是制造致密、高性能 AlN 部件的常用方法。 无压烧结是一种不需要外部压力即可实现致密化的过程。 以下是氮化铝陶瓷无压烧结工艺的概述： 1粉末制备：步是制备氮化铝粉末。 粉末应具有所需的成分和粒度分布。 通常使用高纯度 AlN 粉末来确保最终产品的质量。无压烧结氮化铝陶瓷 英诺华
aln烧结设备
氮化铝（AlN）陶瓷常见的坯体成型与烧结方法概述行业动态 一般情况下，常压烧结制备AlN陶瓷需要烧结温度高，保温时间较长，但其设备与工艺流程简单，操作方便。 2、热压烧结 为了降低氮化铝陶瓷的烧结温度，促进陶瓷致 进一步探索氮化铝陶瓷最为常见的成型方式有哪一些 知乎氮化铝 袁文杰 南京工业大学材料科学与工程学院 本实验采用无压烧结技术，以Y2O3为烧结助剂制备AlN陶瓷。 闪光法测试AlN陶瓷在室温到300℃的温度关系。 结果表明：在25～300℃，AlN陶瓷热导率随温度 无压烧结AlN(Y2O3)陶瓷热导率的温度关系 真空
碳热还原氮化法制备AlN粉体及其烧结性能研究 Details
碳热还原氮化法是AlN粉体商业化生产的主要制备方法之一，其合成的粉体粒度小，粒径分布均匀，球形度好，且具有优良的烧结性能。 但目前国内碳热还原氮化法制备AlN粉体的技术与国际先进水平仍有较大差距，在粉体的形貌、粒度和纯度方面需要进一步提升，这就需要对该工艺的合成过程及机理 纳米氮化铝(AlN)具有优良的热导率、电学性能和力学性能，被广泛应用于新一代半导体器件。氮化铝器件的性能表现取决于氮化铝粉体的质量，因此，优质氮化铝粉体的制备是氮化铝行业发展的关键。本文综述了氮化铝的纳米粉体制备及相关应用的研究进展，并讨论了氮化铝的 纳米氮化铝粉体的制备及应用研究进展 汉斯出版社
一种高强度BNAlNB4C复合陶瓷侧封板及制备方法 X技术网
2024年1月16日 本发明公开了一种高强度BN‑AlN‑B4C复合陶瓷侧封板及制备方法。 其技术方案是：将50～90wt％的六方氮化硼粉体与10～50wt％的碳硼化铝粉体混合，置于行星式球磨机中球磨，干燥，筛分，得到复合粉体。 将复合粉体置入石墨模具中，再将石墨模具置于 2024年2月20日 发布于：广东省 演讲嘉宾 张泽兵 富士康科技集团 特聘技术顾问 第十六届中国国际先进陶瓷展览会 演讲主题 MIMTi注射成形钛及钛合金烧结技术和设备工艺 MIMTi注射成形纯钛（TA1TA4）及钛合金（TC4）粉末制备 MIMTi注射成形钛及钛合金粘结剂配方与脱脂体系MIMTi注射成形钛及钛合金烧结技术和设备工艺科技中国行业
DCB覆铜陶瓷基板杭州大和热磁 Ferrotec
覆铜陶瓷基板( Direct Bond Copper,DBC )是一种通过热熔式粘合法，在高温下将铜箔直接烧结到Al2O3和AlN陶瓷表面而制成的一种复合基板,应用于各类电子模块的封装，覆铜面可以刻蚀出各种图形，是一种无污染， SiC封装银烧结设备供应商10强 随着新能源汽车放量，大功率IGBT器件广泛应用于电机驱动、车载充电模块；以及新能源功率模块对工作温度和可靠性的要求越来越高，催生SiC和GaN等宽禁带半导体芯片的普及应用，烧结银工艺成为提升其封装可靠性和性能的关键 SiC封装银烧结设备供应商10强 艾邦半导体网
氮化硅陶瓷覆铜基板制备及可靠性评估 CERADIR 先进陶瓷在线
2022年2月16日 氮化硅陶瓷覆铜基板制备及可靠性评估 摘要： 氮化硅陶瓷覆铜基板优异的高可靠性使其成为高铁、电动汽车等领域功率模块最有前途的基板材料之一，目前只有日本厂商具备量产能力，国内进口困难，阻碍了相关产业的发展。 采用气压烧结实现了高性能氮化 2020年6月20日 一般通过添加烧结助剂、改变烧结方法来降低烧结温度提升aln烧结体的致密度减少氧原子吸附，例如热压烧结、微波烧结、放电等离子烧结等等。 目前热压烧结是最常见的商业化制备方法，采用该方法可以实现致密化烧结，微观结构良好、热导率高，但热压烧结设备较为昂贵且烧结周期长能耗大 一种IC装备用静电卡盘AlN陶瓷及其制备方法与流程 X技术网
AlN陶瓷低温烧结中的液相迁移 百度学术
摘要： 用XRF和SEM/EDAX对（YCa)F3助烧AlN陶瓷烧结过程中的液相迁移规律进行了研究，以Y、Ca为液相的“示踪元素”，得到烧结不 2022年3月25日 1 黑色氧化铝陶瓷在电子领域应用的必要性 选择黑色氧化铝陶瓷作为研究对象具有一定的必然性和可行性。 由于半导体集成电路常具有明显的光敏性，用于数码管衬板的氧化铝也要求呈黑色，以保证数码显示清晰，并且作封装管壳的特种陶瓷材料应需具有遮 黑色氧化铝陶瓷在电子封装应用中存在的必要性 CERADIR
氮化铝行业研究：AlN应用性能出众，国产替代机遇显著
2023年4月3日 AlN 的晶体结构决定了其 出色的热导性和绝缘性。根据《氮化铝陶瓷的流延成型 及烧结体性能研究》的研究中提到，由于组成 AlN 分子的两种元素的原子量小，晶体 结构较为简单，简谐性好，形成的 AlN 键键长短，键能大，而且共价键的共振有利 2012年12月27日 微波烧结的原理也需要进一步研究清楚。由于微波烧结炉对产品的选择性强，不同的产品需要的微波炉的参数有很大差异，因此，微波烧结炉（synotherm）的设备需要投资增大。今后微波烧结设备的方向是用模块化设计与计算机控制相结合。 微波烧结研究 微波烧结技术研究现状 材料与工艺 微波射频网
知乎专栏
Explore a wide range of topics and perspectives on Zhihu's column platform用于半导体制造的氮化铝（AlN）部件 活用氮化铝（AlN）高导热率和高耐腐蚀性，将其用于半导体制造设备部件。 MARUWA以培育多年的材料技术为基础，使用适合产品使用和形状生产的原始烧结工艺，生产半导体制造设备和医疗设备零件。MARUWA氮化铝（AlN）产品 寻找产品 MARUWA CO, LTD
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2024年4月1日 氮化铝AlN的发展和制备方法 氮化铝（Aluminum Nitride，简称AlN）是一种重要的无机材料，具有优良的导热性、电绝缘性和化学稳定性，因此在电子器件、照明、散热器等领域有广泛应用。 发展历史 氮化铝作为一种材料，在20世纪中期引起了科学家们的兴 氮化铝AlN的发展和制备方法 – Around Physics 物理边界
AlN陶瓷烧结技术及性能优化研究进展
2021年4月20日 AlN陶瓷因其高热导率、高强度、线膨胀系数与硅接近、介电常数小、耐高温和耐腐蚀性能优异而被用作芯片基板和封装材料。 主要从烧结技术和烧结助剂对AlN陶瓷性能影响方面综述了AlN陶瓷的研究进展,并指出了AlN陶瓷在制备及应用过程中存在的问题,展望了AlN陶瓷的发展趋势。2024年6月12日 iTops PVD AlN 溅射系统主要用于2、4、6英寸AlN沉积工艺。该机台为单工艺腔室设备，配备传输腔室和冷却腔室。AlN设备具有占地面积小、结构简单、操作灵活、维修方便、耗材便宜等优势；具备与国际竞争对手同等的工艺能力。PVD AlN 溅射系统 产品管理 北方华创
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产品简介： AlN烧结设备 发布时间： 更新 有效时间： 长期有效 在线咨询： 点此询价(厂家7/24在线) 氮化铝陶瓷的烧结简介及调控 2016年3月29日氮化铝陶瓷的烧结简介及调控摘要:AlN 陶瓷以其高的热导率、低的介电常数、与7 1 氮化铝陶瓷简介
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