细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
碳化硅用
什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
2023年6月22日 碳化硅是怎么制成的？ 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高温冶煉而成。 碳化硅是一種半導體，在自然界 碳化硅百度百科
揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道澎
2021年7月5日 碳化硅衬底的主要制备工序为，将高纯的碳化硅粉在特殊温度下，采用物理气相传输法（PVT）生长不同尺寸的碳化硅晶锭，再经过切割、研磨等多道工序产出碳化硅衬底。碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
第三代半导体材料之碳化硅（SiC）应用现状及前景
11:27 近年来，以碳化硅为代表的第三代半导体材料在禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面具有显著优势，进一步满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的 2023年7月14日 与此同时，国内外产业模式的差异，技术差距、设备挑战以及国内碳化硅器件中低端“互卷”等问题，都一一成为摆在我国碳化硅产业链发展面前的难题。 碳化硅“狂飙” 上文提到，从产业链层面初步划分，整个SiC产业链主要分为衬底、外延、设计、器件和 碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus腾讯新闻
碳化硅 简体中文英语翻译——剑桥词典 Cambridge Dictionary
碳化硅 中文（简体）–英语词典翻译——剑桥词典 Stealing a carborundum cord from the prison workshop, the prisoners had removed the rivets from the grille and substituted dummy rivets made of soap碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势与技术的难点 引言：碳化硅功率器件近年来越来越广泛应用于工业领域，受到大家的喜爱，不断地推陈出新，大量的更高电压等级、更大电流等级的产品相继推出，市场反应碳化硅 碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势与技术的难点
碳化硅行业深度分析：SiC车规级应用渗透率加速提升懂车帝
2022年1月1日 碳化硅在高压方面 有先天性能优势，只要车企用的是高压、650V 以上的电池，电压越大，碳化硅的优势越明显；在车的续航能力方面，续航要求越高，碳化硅越有优势。就乘用车而言，300km 以上续 航，碳化硅具备优势，电池需求越大，碳化硅优势越明显。2023年9月21日 碳化硅凭什么晋升光伏领域“新宠” 光伏—“新基建”和“碳中和”的新宠儿 太阳能作为一种可再生的清洁资源，具有两大优势： 一是可以直接利用，特别是在偏远或者离网区域；二是它足够多：据计算，海平面上，每平方米每天可产生1kW电力，如果考虑日 碳化硅凭什么晋升光伏领域“新宠”电子工程专辑
碳化硅：渗透新能源车半壁江山 第三代半导体百亿级市场
2024年2月28日 碳化硅作为材料已有百年历史，商业化也已超过30多年。1824年，瑞典科学家在人工合成金刚石的实验中意外发现了碳化硅这一物质，其硬度比钻石小但光彩更亮；1955年，LELY提出生长高品质碳化硅的方法，从此将碳化硅作为重要的电子材料；1987年，科锐制造了出世界上块商用碳化硅衬底，并把它 2021年9月1日 半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉 Ultrahigh purity graphite powder for semiconductor silicon carbide crystal 2021 08 26发布 2021 0926 实施 浙江省品牌建设联合会 发布 团体标准 T/ZZB 2283—2021 I 目 次 半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉
碳化硅SiC器件英飞凌(Infineon)官网 Infineon
1 天前 为通过使用碳化硅MOSFET实现最大的系统效益，建议用英飞凌的EiceDRIVER™栅极驱动IC来补充英飞凌的CoolSiC™MOSFET，以充分利用碳化硅技术的优势。 提高效率、节省空间并减轻重量、减少零件数 3 天之前 碳化硅衬底除了“如何增产”，更应该思考的是“如何节约”。采用激光切片设备可以大大的降低损耗，提升产率。以单个20毫米SiC晶锭为例，采用线锯可生产30片350um的晶圆，而用激光切片技术可生产50多片晶圆。顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割技术
知乎 有问题，就会有答案
2 天之前 碳化硅功率模块的优点 赛米控丹佛斯的混合碳化硅和SiC MOSFET功率模块结合了成熟的工业标准功率模块和赛米控丹佛斯封装技术的优点。 得益于多种封装优化，碳化硅的各种优点得以充分利用。 模块换向电感降低可以实现SiC MOSFET的全速开关。 更高的 碳化硅功率模块的 (SiC) 赛米控丹佛斯 Semikron Danfoss
高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学
2020年8月21日 碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。 碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩 2023年8月9日 在特斯拉2023年3月举办的投资者日上，特斯拉宣布了对其电动汽车制造的多项优化。 从功率半导体的角度来看，其中最引人注目的是打算将未来汽车 有关“特斯拉将减少75%的碳化硅用量”的进一步思考碳化硅特
造神者推倒神像：碳化硅的崛起和塌房澎湃号湃客澎湃
2023年4月13日 特斯拉：造神者灭神 Wolfspeed与碳化硅概念股最近一次的暴跌，是因为马斯克在3月初的特斯拉投资者日上宣布：单车减用75%的碳化硅。 但市场似乎解读错了重点：特斯拉是减少使用了，不是不用了。 而且，这背后还有不少隐情：尽管发展多年，但碳化 硅或 碳化硅 (SiC) 是半导体和电子设备行业最常用的材料。尽管它们的名称中都有 "硅 "这个元素，但它们在大多数问题上都有不同的特点。本文深入探讨了硅和碳化硅的迷人领域，研究了它们的特性、应用，以及它们在电子产品及其他产品的出现中所发挥的日益重要的作用。碳化硅与硅：两种材料的详细比较
特斯拉开启碳化硅大规模应用，碳化硅+800V正在联袂而来
2021年12月10日 而且，根据比亚迪公司计划，到2023年比亚迪旗下所有电动车会用SiC功率半导体全面替代IGBT。碳化硅的趋势真是势不可挡啊。不过，若论及碳化硅的大规模应用，则始于特斯拉。2018年，特斯拉在Model 3中首次将IGBT模块换成了碳化硅模块。2023年9月12日 本专利由鸡东县和越磨料有限公司申请，公开，本实用新型公开了一种碳化硅加工用夹具，涉及碳化硅加工技术领域，现提出如下方案，包括底座和底座上的调节机构，所述调节机构包括转动组件和升降组件；所述转动组件包括安装架和滑动机构，所 一种碳化硅加工用夹具CNU 专利顾如 PatentGuru
碳化硅陶瓷百度百科
碳化硅 (SiC) [1]是共价键很强的化合物，其SiC键的离子型仅12%左右，因此，它也具有优良的力学性能、优良的抗氧化性、高的抗磨损性以及低的摩擦系数等。 碳化硅的最大特点是高温强度高，普通陶瓷材料在1200 ~ 1400摄氏度时强度将显著降低，而碳化硅在1400 2015年10月30日 21 机械密封用碳化硅 材料的种类和特点 1) 常压烧结碳化硅 采用粉末冶金的制造方法，原料用亚微米级的碳化硅颗粒，在不施加压力的条件下进行烧结，烧结密度可达理论密度的95%。烧结在惰性气体保护下或在真空中于1900～2200℃之间进行，一般 碳化硅材料在机械密封中的应用密封材料河北奥赛罗密封材料
碳化硅的合成及应用环境
2017年12月12日 碳化硅的生成 （一）用二氧化硅和碳（煤）合成碳化硅 工业上合成碳化硅多以石英砂、石油焦（无烟煤）为主要原料，在电炉内温度在2000~2500℃下，通过下列反应式合成： Si02+3C→SiC+2CO 1原料性能及要求 食盐的目的是为了排除原料的铁、铝等 2023年11月23日 但碳化硅晶片莫氏硬度高达95，磨削困难。实现碳化硅单晶片的磨削减薄加工，降低磨削成本，提高碳化硅晶片的加工质量，成为了半导体行业亟待解决的问题。本文探究采用Cu 3 Sn和Cu 6 Sn 5 金属间化合物作为粘结剂，制备了面向碳化硅晶片粗磨和精磨的碳化硅晶片减薄用金属间化合物粘结剂金刚石砂轮制备及
碳化硅陶瓷性能优异，半导体和光伏领域的用量巨大
2023年10月12日 2022年中国碳化硅结构陶瓷市场规模182亿元，随着应用领域进一步拓宽及下游增长需要,预计2025年碳化硅结构陶瓷市场规模达296亿元。 一、受正、负极材料扩产带动，中国锂电材料用辊道窑炉系统市场规模持续稳定增长2023年7月17日 碳化硅用什么切割碳化硅（SiC）是一种硬度较高的材料，因此在切割过程中需要使用适当的切割工具和方法。以下是一些常用的碳化硅切割方法：金刚石线锯切割（Diamond Wire Sawing）：金刚石线锯是一种常见的切割工具，碳化硅用什么切割 百度知道
碳化硅陶瓷膜有哪些应用，如何制备？这篇说全了！粉体
2023年11月14日 碳化硅膜的应用 一、在高温烟气净化中的应用 碳化硅陶瓷膜因其耐高温、耐腐蚀、抗热震等优势在高温烟气治理领域独具优势。 对于PM25等颗粒污染物，碳化硅陶瓷膜的除尘机理为孔道筛分、截留、吸附等。 此外，碳化硅膜在高温除尘方面已实现了大 20 世纪90 年代以来，碳化硅(silicon carbide，SiC)MOSFET 技术的迅速发展，引起人们对这种新一代功率器件的广泛关注[24]。与Si 材料相比，碳化硅材料较高的热导率决定了其高电流密度的特性，较高的禁带宽度又决定了SiC 器件的高击穿场强和高工作温度[56]。碳化硅MOSFET百度百科
产品说碳化硅模组封装材料大盘点：AMB陶瓷基板篇电子
5 天之前 近年来，随着车用等市场的爆发，碳化硅功率模块的应用逐渐成熟，AMB逐渐成为电子电子模块封装的新趋势。 据悉，AMB的热导率比DBC氧化铝高3倍，且机械强度及机械性能更好，对比同样封装形势下氧化铝和碳化硅陶瓷基板功率模块，使用过程中碳化硅热阻降低约10%，提升输出能力。碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
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